EDA與制造相關文章 三星電子HBM3E內存性能未滿足英偉達要求 12 月 11 日消息，韓媒 hankooki 當地時間昨日表示，三星電子由于 8 層、12 層堆疊 HBM3E 內存樣品性能未達英偉達要求，難以在今年內正式啟動向這家大客戶的供應，實際供貨將落到 2025 年。 報道表示，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達供應 HBM3E 內存的質量測試樣品，但一年多的時間內三星 HBM3E 的認證流程并未取得明顯進展。 發表于：12/12/2024 IBM與Rapidus展示多閾值電壓GAA晶體管合作研發成果 12 月 12 日消息，據 IBM 官方當地時間 9 日博客，IBM 和日本先進芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國際電子器件會議上展示了兩方合作的多閾值電壓 GAA 晶體管研發成果，這些技術突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量產。 IBM 表示，先進制程升級至 2nm 后，晶體管的結構由使用多年的 FinFET（IT之家注：鰭式場效應晶體管）轉為 GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管），這對制程迭代帶來了新的挑戰：如何實現多閾值電壓（Multi Vt）從而讓芯片以較低電壓執行復雜計算。 發表于：12/12/2024 傳美國將在圣誕節前推出對華AI芯片限制新規 12月11日消息，在本月初美國將140加中國半導體相關企業列入了實體清單，并升級對EDA、半導體設備、HBM限制之后，業內又傳出消息稱，美國商務部工業暨安全局（BIS）將會在今年圣誕節之前，發布新的人工智能（AI）管制規則，有可能將進一步限制AI芯片的對華出口。 消息稱，美國BIS目前已將相關限制規則的內容提交給了相關機構審查，按照之前的經驗，審查時間大約耗時一周，所以預計公布的時間可能將會在下周，也就是在圣誕節之前。該限制規則可能與此前臺積電對中國大陸AI芯片企業暫停7nm及以下先進制程代工服務有關。 根據之前的爆料顯示，中國廠商設計的芯片如果die size大于300mm²、晶體管數量大于300億顆、使用先進封裝和HBM，主要用于AI訓練，臺積電等有采用美國技術的海外晶圓代工廠都將禁止提供代工服務。 發表于：12/12/2024 英飛凌CEO：將在中國生產芯片 12月11日消息，據《日經亞洲》報道，德國芯片大廠英飛凌CEO Jochen Hanebeck近日在接受采訪時透露，英飛凌正在將商品級產品的生產本地化，以尋求與中國買家保持密切聯系。 發表于：12/12/2024 泛林介紹世界首款半導體制造設備維護專用協作機器人 12 月 11 日消息，Lam Research 泛林集團當地時間昨日對其打造的世界首款專為半導體制造設備維護打造的協作機器人（注：Collaborative Robot）Dextro 進行了介紹，并表示該型機器人已獲全球多家先進晶圓廠應用。 發表于：12/12/2024 魏少軍建議應大力發展不依賴先進工藝的芯片設計技術 12月11日消息，中國半導體行業協會集成電路設計分會理事長魏少軍今日表示，應大力發展不依賴先進工藝的芯片設計技術。 “伴隨著外部先進加工資源對我國芯片設計企業關閉，中國芯片設計企業所能使用的制造技術不再像之前那樣豐富，需要在技術創新上關注不依賴先進工藝的設計技術?！?/a> 發表于：12/12/2024 消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內存量產設備訂購 12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當地時間 9 日援引行業報告表示，三星電子已于近日啟動下代 1c nm 制程 DRAM 內存量產所需設備的采購，從 Lam Research 泛林集團等主要半導體設備制造商購買的設備將于明年 2 月左右引進至量產線。 三星電子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 級制程）DRAM。報道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產狀態，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產線將設置于韓國京畿道平澤 P4 工廠。 發表于：12/11/2024 臺積電創始人談Intel失敗原因 12月11日消息，隨著CEO帕特·基辛格下課，Intel目前面臨后繼無人的狀態。在真正尋找到能帶領其重回巔峰的領導人之前，其未來前途可謂迷霧重重。 發表于：12/11/2024 美國商務部已向美光科技提供61億美元資金 12 月 11 日消息，美國商務部周二表示，作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（注：當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。 發表于：12/11/2024 臺積電11月營收同比增長34% 12月10日，晶圓代工大廠臺積電公布了2024年11月營收數據，當月營收金額為新臺幣2760.58億元，環比減少12.2%，同比增長34.0%。累計前11個月營收約新臺幣26161.45億元，同比增長31.8%。 發表于：12/11/2024 臺積電2nm工藝繼續漲價 12月9日消息，據媒體報道，臺積電在新竹寶山工廠開始2nm試產，其良率達到了60%，超越臺積電內部預期，除了寶山工廠外，明年上半年臺積電還計劃在高雄工廠開展2nm試產工作。 發表于：12/10/2024 三星完成400層NAND Flash開發 12月9日消息，根據韓國媒體BusinessKorea報道稱，三星電子在其半導體研究所中已經成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術的開發。同時，三星也自上個月開始，將這項先進技術轉移到其平澤園區一號工廠中大規模生產線。而這一重要的里程碑的達成，將使得三星處于NAND Flash技術的領先位置，將有望領先已經宣布計劃量產321層NAND Flash的SK海力士。 發表于：12/10/2024 通用PC DRAM內存價格暴跌35.7% 12月9日消息，據韓國媒體報道，市場研究公司DRAMeXchange最新報告顯示，截至2024年11月底，通用PC DRAM產品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格已跌至1.35美元。 發表于：12/10/2024 海信否認3萬人大裁員傳聞 12月10日消息，據報道，網絡平臺近日有傳言稱，海信集團正面臨大規模裁員，員工數量從十一萬人減少至八萬人，裁員數量高達三萬人。 海信方面回應：目前網絡流傳的關于海信裁員的相關數據信息，均為不實猜測。對一些媒體和自媒體通過刻意夸張裁員數量和比例“博流量”的惡劣行為，海信將通過法律途徑追究其相關責任。 發表于：12/10/2024 英偉達是否會成為第二個Qorvo 英偉達是否會成為第二個Qorvo？美國5G射頻芯片公司虧損，是美國半導體產業鏈第一個倒下骨牌！ 發表于：12/10/2024 ?…9101112131415161718…?
