| DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：4444 K | |
| 標簽： DRAM 無電容存儲單元 3D DRAM | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）因其高存儲密度和成本效益，在現(xiàn)代大規(guī)模計算機和超高速通信系統(tǒng)中得到廣泛應用。主要介紹動態(tài)DRAM的發(fā)展歷程、關鍵技術、國內(nèi)外研究進展以及未來發(fā)展方向。首先，介紹了DRAM的分類、基本單元結構、工作原理。其次，詳細介紹了DDR SDRAM的關鍵性能指標以及專用DRAM的發(fā)展。然后，介紹了提高DRAM訪問速度、容量與密度的創(chuàng)新DRAM架構和技術，以及無電容存儲單元結構、3D堆疊DRAM技術以及Rowhammer安全問題及其防御機制。最后，展望了DRAM技術的未來發(fā)展方向，闡述了為了應對日益增長的高速、低功耗和高可靠性的存儲需求，對現(xiàn)有DRAM技術的進行深入研究和創(chuàng)新的重要性。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2