| TSV可靠性綜述 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：724 K | |
| 標(biāo)簽： TSV KOZ 熱應(yīng)力 | |
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| 文檔介紹：對硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技術(shù)的可靠性進(jìn)行了綜述，主要分為三個方面：熱應(yīng)力，工藝和壓阻效應(yīng)。TSV熱應(yīng)力可靠性問題體現(xiàn)在不同材料之間的熱膨脹系數(shù)差異較大，過大的熱應(yīng)力可能導(dǎo)致界面分層和裂紋;TSV工藝可靠性體現(xiàn)在側(cè)壁的連續(xù)性以及填充銅的質(zhì)量;有源區(qū)中載流子的遷移率會受到TSV熱應(yīng)力的影響。在TSV周圍規(guī)定一個保持區(qū)域(Keep-Out Zone，KOZ)。KOZ設(shè)置為載流子遷移率不超過5%的區(qū)域。當(dāng)載流子遷移率超過5%，可能會導(dǎo)致電路的時序被破壞，使集成電路失效。 | |
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