結型場效應晶體管的霍耳效應的理論分析
所屬分類：解決方案
上傳者：news
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標簽： ADI TI FPGA
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文檔介紹：以高速MOSFET器件為基礎，對超快高壓電脈沖產生技術進行了實驗研究。采用多路并聯的高速MOSFET與感應疊加相結合的形式，得到脈沖半寬度為300 ns、上升時間約為60 ns、時間間隔600 ns的超快方波雙脈沖；在負載電阻為11．5 Q時，可以產生365 A的脈沖峰值電流，并且能夠提供1．5 Mw 的峰值輸出功率。
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