頭條 “網絡安全”再次成為眾多兩會代表提案的關鍵詞 今年的兩會已落下帷幕，“沒有網絡安全就沒有國家安全”，“網絡安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關鍵詞。隨著網絡的飛速發展，網絡信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。 下面就一起看看對于解決所面臨的網絡安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 【回顧與展望】瑞薩電子：持續投入研發以穿越半導體周期 2024年，半導體市場在AI、數據中心、消費電子和汽車電子等領域的推動下，實現了顯著復蘇和快速增長，但各個細分行業發展并不均衡…… 在2025年，半導體市場能否全面繼續保持增長態勢，汽車半導體、工業基礎設施、消費電子等哪些細分領域更值得期待？日前，瑞薩電子全球銷售與市場副總裁、瑞薩電子中國總裁賴長青介紹了瑞薩電子對于2025年的展望和公司的未來發展戰略。 發表于：1/22/2025 派拓網絡發布2025年網絡安全趨勢預測，平臺化解決方案將成為企業首選 近日，全球網絡安全領導企業Palo Alto Networks（派拓網絡）發布2025年亞太地區網絡安全預測，給出“網絡基礎設施將以統一數據安全平臺為中心、深度偽造將成為主要的欺詐手段、揭穿圍繞量子安全話題的炒作、透明度將是AI時代維持客戶信任的基石以及企業將更加重視產品完整性和供應鏈安全”五大安全趨勢。 發表于：1/22/2025 中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功 1 月 22 日消息，功率器件是實現電能變換和控制的核心，被譽為電力電子系統的心臟，是最為基礎、最為廣泛應用的器件之一。 中國科學院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊等開展合作，共同研制出首款國產高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統，已搭乘天舟八號貨運飛船并成功通過太空第一階段驗證并實現其在電源系統中的在軌應用。案，牽引空間電源系統的升級換代。 發表于：1/22/2025 消息稱Arm計劃將授權許可費用漲價至高300% 1 月 21 日消息，據外媒 Sammobile 報道，Arm 正準備大幅度提高授權許可的費用（最高漲價 300%），此舉將對三星 Exynos 芯片未來發展造成嚴重影響。 發表于：1/22/2025 Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相 Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產4月啟動 發表于：1/22/2025 傳三星和LG擬將部分家電產線從墨西哥轉向美國 據韓國經濟新聞（Korea Economic Daily）1月21日報導，韓國三星電子和LG電子（LG Electronics）正考慮將部分家電產線從墨西哥廠轉移至美國廠。 發表于：1/22/2025 OpenAI攜手軟銀甲骨文等5000億美元成立AI新公司Stargate 美國當地時間1月21日，美國新任總統特朗普宣布，OpenAI、軟銀、甲骨文（Oracle）等聯合成立一家新的AI公司“Stargate”（星際之門），未來四年將投資5000億美元，預計將創造10萬個工作崗位。現在，該公司會立刻投資1000億美元，用于建設AI基礎設施。 發表于：1/22/2025 三星HBM3內存首次通過AMD MI300X中實現商用 1月21日消息，研究機構 TechInsights今天表示，其揭示了三星HBM3內存的首個商用實例，該內存集成在AMD的MI300X AI加速器中。 TechInsights稱，三星于2023年8月宣布HBM3內存面世，其在商用產品中的部署對內存制造商和AI芯片制造商來說都是一個重要的里程碑。 據了解，MI300X擁有最多8個XCD核心，304組CU單元，8組HBM3核心，顯存容量提升到了192GB，，同時HBM內存帶寬高達5.2TB/s，Infinity Fabric總線帶寬也有896GB/s。 發表于：1/22/2025 消息稱三星將從頭設計新版1b nm DRAM 1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日報道稱，三星電子內部為應對其 12nm 級 DRAM 內存產品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進現有 1b nm 工藝的同時從頭設計新版 1b nm DRAM。 據悉該新版 12nm 級 DRAM 工藝項目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡寫），專注改進能效和散熱表現，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。 發表于：1/22/2025 第三代中國自主量子計算編程框架發布 1月21日消息，為了充分挖掘量子計算的巨大潛力，本源量子自主研發了QPanda量子計算編程框架。這一創新工具旨在幫助開發者更高效地設計、優化、運行及理解量子程序。 發表于：1/22/2025 ?…234567891011…?
