《電子技術(shù)應(yīng)用》
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應(yīng)用材料公司推出新eHARP 系統(tǒng)為32納米及更小工藝節(jié)點(diǎn)提供已被生產(chǎn)驗(yàn)證的STI空隙填充技術(shù)

2008-07-24
作者:應(yīng)用材料公司
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近日,應(yīng)用材料公司推出Applied Producer eHARP 系統(tǒng),為32納米及更小工藝節(jié)點(diǎn)上關(guān)鍵的STI(淺溝槽隔離)器件結(jié)構(gòu)提供已被生產(chǎn)驗(yàn)證的HARP SACVD空隙填充技術(shù)。eHARP工藝能夠提供無孔薄膜,用于填充小于30納米、長(zhǎng)寬比大于12:1的空隙,從而滿足先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件" title="邏輯器件">邏輯器件的關(guān)鍵制造要求。該系統(tǒng)擁有多項(xiàng)工藝創(chuàng)新專利,能提供強(qiáng)勁的高密度" title="高密度">高密度應(yīng)力誘導(dǎo)薄膜,幫助推動(dòng)傳統(tǒng)的平坦化和新興的3-D器件結(jié)構(gòu)向更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展。?

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應(yīng)用材料公司" title="應(yīng)用材料公司">應(yīng)用材料公司副總裁兼電介質(zhì)系統(tǒng)和化學(xué)機(jī)械研磨事業(yè)部總經(jīng)理Bill McClintock表示:“在過去的14年中,應(yīng)用材料公司作為業(yè)界的領(lǐng)先企業(yè)一直為客戶提供最先進(jìn)的HDP-CVDSACVD空隙填充技術(shù),滿足客戶最緊迫的工藝要求。Producer eHARP系統(tǒng)為客戶提供了32納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)上STI空隙填充的發(fā)展路徑,同時(shí)也不需要對(duì)現(xiàn)有的工藝流程進(jìn)行過大的改動(dòng)。客戶們對(duì)eHARP系統(tǒng)的能力感到非常興奮,其中一些重要的器件生產(chǎn)廠商還將eHARP選定為先進(jìn)邏輯器件和存儲(chǔ)器件開發(fā)制造的參考系統(tǒng)。”?

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Producer eHARP技術(shù)同非CVD空隙填充技術(shù)相比,能夠提供最低的每片晶圓成本。eHARP薄膜不含碳,不需要保護(hù)層或者覆蓋層,能方便地和傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械研磨工藝整合,并提供可靠強(qiáng)勁的器件隔離效果。此外,eHARP系統(tǒng)工藝中所使用的化學(xué)物品已經(jīng)經(jīng)過驗(yàn)證,不會(huì)產(chǎn)生有害的液體副產(chǎn)品,因此也不需要特殊的化學(xué)處置。?

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eHARP工藝基于應(yīng)用材料公司聲譽(yù)卓著的Producer平臺(tái),該平臺(tái)被業(yè)內(nèi)每一家芯片制造廠商用于包括低k沉積、應(yīng)力工程、光刻薄膜、PECVD*SACVD*等先進(jìn)應(yīng)用中。超過500臺(tái)Producer系統(tǒng)已經(jīng)被運(yùn)送到客戶處用于SACVD應(yīng)用,進(jìn)行升級(jí)后它們?nèi)靠梢赃\(yùn)行eHARP工藝。更多信息請(qǐng)?jiān)L問:http://appliedmaterials.com/products/eharp_4.html.?

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應(yīng)用材料公司是全球領(lǐng)先的納米制造技術(shù)" title="制造技術(shù)">制造技術(shù)廠商。公司廣泛的產(chǎn)品包括創(chuàng)新的設(shè)備、服務(wù)和軟件。它們被應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽能電池、軟性電子產(chǎn)品和節(jié)能玻璃的制造。應(yīng)用材料公司用納米制造技術(shù)改善人們的生活。欲了解更多應(yīng)用材料公司的信息,請(qǐng)?jiān)L問公司網(wǎng)站www.appliedmaterials.comhttp://www.appliedmaterials.com?

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*eHARP —— 加強(qiáng)型高長(zhǎng)寬比工藝?

*SACVD —— 高長(zhǎng)寬比工藝 次常壓化學(xué)氣相沉積" title="化學(xué)氣相沉積">化學(xué)氣相沉積?

*HDP-CVD —— 高密度等離子體化學(xué)氣相沉積?

*STI —— 淺溝槽隔離?

*PECVD —— 等離子加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積?

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