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綠色能源價值鏈主角,CoolSiCTM如何穿越碳化硅周期

2025-01-07
來源:英飛凌
關鍵詞: 英飛凌 碳化硅 CoolSiC

編者按:2024年歲末,繼年初重組銷售與營銷組織后,英飛凌科技工業與基礎設施業務帶著CoolSiCTM MOSFET G2和XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊兩款碳化硅產品的應用詳解做了最好的年度注腳,并交上了滿意的答卷。


作為碳化硅市場的先行者和頭部玩家,英飛凌自1992年已經開始了碳化硅技術的研發,在過去的30余年中累計積累了近3萬項碳化硅專利。自2001年英飛凌推出世界上第一個商用碳化硅二極管以來,伴隨著晶圓4英寸、6英寸、8英寸的升級,英飛凌始終引領著碳化硅生產工藝的創新,尤其是在收購晶圓激光冷切割技術廠商Siltectra之后,晶圓的利用效率達到了空前!

碳化硅——綠色能源價值鏈的主角,

近年來,在全球經貿摩擦不斷加劇的背景下,綠色發展、環境保護和低碳生活是全球范圍內難得的共識領域,跨越國界和文化差異,成為各國共同關注和努力的方向。作為將功率半導體產品植根于整個能源產業全鏈條、并占據領導者地位的科技企業,英飛凌是如何布局并引領各個行業應用市場呢?“英飛凌持續深耕能源全鏈條,為包括發電、輸配電、儲能、用電在內的電力全價值鏈提供系統級的高能效產品和解決方案。“在日前舉辦的年度碳化硅媒體發布會上,英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝介紹道。英飛凌的功率半導體廣泛應用于風電、光伏、高鐵、儲能等應用領域,為推動整個社會實現綠色低碳轉型發揮著重要作用。目前,國內有超過 90,000 臺風力發電機在使用英飛凌的產品,這些風機2023年的發電量可滿足4.5億人/1.5億家庭的用電需求。同時,英飛凌的產品應用在總計超過220GW的光伏發電機組中,裝機容量相當于10個三峽水電站裝機量的總和。在如火如荼的儲能領域,英飛凌的產品應用在總計約15GW / 30GW的新型儲能系統中,裝機容量約等于1個白鶴灘水電站裝機量。

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(英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝)

“業界已經達成共識,擁有高能效和高轉換效率的碳化硅是滿足可持續性能源生產和消費的核心技術”。人類社會在歷經三次工業革命后,生產效率實現了爆炸性的增長,然而這一進步的背后,卻是碳排放量的急劇上升。面對這一挑戰,全球各國正積極倡導并投身于低碳化轉型的浪潮之中。這場轉型不僅僅是一次環保行動,更是一場深刻的電氣化革命!在以風電、光伏、儲能等為主的新能源架構中,雖然可再生能源的光環引入注目,但其漫長的能源轉換鏈條中包含著太多非100%的能源轉換與傳輸。每一次的能源轉換過程中都會存在能效的損失。電力電子未來發展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計,在高開關頻率高功率的應用中碳化硅器件優勢明顯。因此,追求更高效的能源轉換效率這一創新需求變得至關重要,而碳化硅技術恰恰就是這樣一種功率半導體的能效提升技術。

可靠性——碳化硅器件的領先者

深耕碳化硅領域30余年,依托產品線布局行業廣泛和功率半導體材料覆蓋全面兩大優勢,英飛凌碳化硅的商業模式在全球范圍內取得了巨大的成功。英飛凌希望能夠成為首選的零碳技術創新伙伴!“成功的關鍵在于要跟客戶聯合創新,這樣我們才可以在能效創新和設計創新上找到正確的解決方案”。英飛凌科技副總裁、工業與基礎設施業務大中華區市場負責人沈璐介紹到。

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(英飛凌科技副總裁、工業與基礎設施業務大中華區市場負責人沈璐)

“怎么把系統做得更小、成本更低,甚至是更加節能、高效,這恰恰就是碳化硅所在的時代的價值”,作為碳化硅器件的領先者,英飛凌一直站在碳化硅的技術前沿,溝槽柵的創新、XHP封裝的優化、.XT互聯技術、冷切割技術、8英寸產線……無一不引領著碳化硅技術的前進。

更先進的技術可以給與器件更高的篩選電壓和更厚的氧化層,從而保證更高的可靠性。在光伏、儲能等長期的戶外且高頻滿載的工作情況下,魯棒性、可靠性永遠是第一位的。

CoolSiCTM溝槽柵——穿越周期的革命技術

評價器件合格的標準參考其靜態和動態性能即可,但是評價一款產品或一項技術是否優秀,就需要綜合考慮其可靠性、穩定性以及易用性等。碳化硅的商業價值就是為了能夠實現更加長期、可靠的、最高效的能源轉化效率,能量損耗越低,產品就越棒。“技術本質上是一種手段,其核心價值在于其展示的性能及特性。”英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽先生如此介紹到。

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(英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽)

Cool在哪里?“對于任何一個器件的發展而言,我們的目標是非常明確的,即持續地減少工藝損耗、優化散熱性能,從而把性能可以更好地發揮出來,保持高可靠性”。

推出CoolSiCTM MOSFETs G2近一年來,從應用角度再次驗證了G2在持續地減少工藝損耗、優化散熱性能的優異性。借助創新性的溝槽技術,G2達到了最高功率密度、最高導通電阻的同時,還實現了2微秒的短路保護!

溝槽柵的復雜技術帶來的成本增加隨著6英寸到8英寸的轉化過程中碳化硅的價格下浮有所抵消。溝槽柵技術的升級最直接的表現就是芯片面積在減小,直徑在變小,沈總說到:“不懼周期、了解周期,善用周期、穿越周期,堅持溝槽柵技術,堅持對可靠性的承諾,堅持對于供應鏈多元化管理的上游供應鏈選擇。”



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