Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性
2024-08-13
來源：Nexperia
奈梅亨，2024年8月7日：Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS（on）和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS（on）選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。
許多MOSFET制造商在將其器件的開關性能與其他產(chǎn)品進行對比時，特別看重是否能通過低QG（tot）和低QGD實現(xiàn)高效率。然而，通過廣泛的研究，Nexperia發(fā)現(xiàn)Qrr同樣重要，因為它會影響尖峰表現(xiàn)，進而影響器件開關期間產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）量。通過專注于研究該參數(shù)，Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，同時也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶的應用在后期未通過電磁兼容性（EMC）測試，而需要重新設計時，這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，從而為最終用戶帶來顯著的益處。
與當前可用的器件相比，這些新MOSFET的導通電阻（RDSon）降幅高達31%。Nexperia還計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產(chǎn)品組合，再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS（on），同時在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進一步支持這些器件的設計導入和驗證，Nexperia屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊，為工程師提供了全面且用戶友好的器件行為分析。
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