5 月 7 日消息，臺(tái)積電在近日召開(kāi)的北美技術(shù)論壇上發(fā)表了 A16 節(jié)點(diǎn)相關(guān)信息，主要容納更多的晶體管，提升運(yùn)算效能、更進(jìn)一步降低功耗。

此外消息稱(chēng)臺(tái)積電 A16 工藝節(jié)點(diǎn)采用了全新的 Super PowerRail 背面供電技術(shù)，其復(fù)雜程度要高于英特爾的負(fù)面供電技術(shù)，可以更好地滿(mǎn)足 AI 芯片、數(shù)據(jù)中心的發(fā)展需求。

由于晶體管越來(lái)越小，密度越來(lái)越高，堆疊層數(shù)也越來(lái)越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，需要穿過(guò) 10-20 層堆棧，大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。

臺(tái)積電的 A16 節(jié)點(diǎn)采用了背面供電技術(shù)，供電線路位于晶體管的下方，而不是上方，從而緩解 IR 壓降（會(huì)降低芯片晶體管接收的電壓，進(jìn)而降低其性能）問(wèn)題。

援引臺(tái)積電官方新聞稿，晶體管由四個(gè)主要組件組成，包括源極、汲極、通道和閘極。源極是電流流入晶體管的入口，而汲極是出口；通道和柵極依序負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)電子的運(yùn)動(dòng)。

而臺(tái)積電的 A16 節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)中的電力傳輸線直接連接到源極和汲極，因此要比英特爾的背面供電技術(shù)更加復(fù)雜。臺(tái)積電表示，其決定采用更復(fù)雜的設(shè)計(jì)原因是有助于提高客戶(hù)芯片的效能。

臺(tái)積電表示在相同工作電壓（Vdd）下，使用 Super PowerRail 的 A16 節(jié)點(diǎn)運(yùn)算速度要比 N2P 快 8~10%；相同運(yùn)算速度下，功耗降低 15%~20%，芯片密度提升高達(dá) 1.10 倍。