據了解，韓國芯片制造巨頭SK海力士正在考慮打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，以提升其在中國的半導體工廠的技術水平。
這一舉動被視為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力的提升，一些韓國芯片企業正在采取一切可以使用的方法來提高在華工廠的制造工藝水平。
業內人士透露，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分DRAM生產設備提升至第四代10納米工藝。然而，對于“無錫工廠將進行技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。
據了解，無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。
報道認為，SK海力士對無錫工廠進行技術升級并不容易，因為自2019年以來，美國為阻止中國半導體產業崛起，單方面限制了制造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。
盡管如此，隨著全球半導體市場進入復蘇階段，SK海力士認為高性能芯片產能擴張已經刻不容緩，需要10納米級第四代DRAM或更高版本產品來維持其市場份額。
媒體分析稱，SK海力士的這一舉動反映了全球半導體市場的變化和中國半導體產業的快速發展。在全球半導體市場復蘇的背景下，中國半導體產業的提升無疑將為全球半導體產業的發展注入新的活力。
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