日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產芯片質量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。

對此，1月13日，長江存儲官方微信號發布聲明進行回應。

近日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”或“我司”）發現個別境外媒體通過多種渠道刊登、散布關于我司產能建設、產品銷售等不實言論，長江存儲特此發表嚴正聲明：

長江存儲自2016年7月成立至今，始終秉承守法合規的經營理念，在國內外各項實際工作中，長江存儲嚴格遵守當地的法律法規，所提供的產品與服務面向商用及民用客戶。關于公司下一步建設計劃具體情況請以公司官方渠道為準。

長江存儲將保留對發布不實報道與言論的境內外個別媒體和記者，以及轉發或協助散播不實報道的組織或個人依法追究法律責任的權利。

圖片來源：長江存儲

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長江存儲3D NAND進展

資料顯示，2016年7月，長江存儲由紫光集團聯合大基金等共同出資成立，為國家存儲器基地項目的實施主體。2016年12月，長江存儲一期工廠正式破土動工；2017年9月，長江存儲一期工廠實現提前封頂，同年10月，長江存儲在武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎上，通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

從技術開發的時間點來看，2017年7月，長江存儲32層3D NAND閃存設計完成；2017年11月，長江存儲32層3D NAND閃存實現首次流片。2018年4月，長江存儲生產機臺進場安裝，項目進入量產準備階段；2018年第三季度，長江存儲32層3D NAND閃存實現量產。

在量產32層3D NAND閃存的同時，長江存儲也在加速64層3D NAND閃存開發進度。2018年8月，長江存儲64層3D NAND閃存實現首次流片，同時推出其全新NAND架構Xtacking。

2019年9月，長江存儲宣布正式量產基于Xtacking?架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，這是中國首款64層3D NAND閃存，亦是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品。

2020年4月，長江存儲正式宣布，其128層QLC 3D NAND閃存研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證，還同時發布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片。