晶圓代工龍頭臺積電位于南科的3 納米新廠于去年11 月底上梁，締造另一個先進制程里程碑。設(shè)備供應鏈近日透露，臺積電3 納米新廠規(guī)劃在今年7~8 月開廠，相關(guān)供應商須在今年中以前備妥機臺、準備進機，供應鏈透露，3 納米于試產(chǎn)階段（2021 下半年）即有約一個月2 萬至3 萬片，量產(chǎn)首年平均月產(chǎn)能約5.5 萬片，到了2023 年以后，將達到10.5 萬片。

　　根據(jù)臺積電先前表示，3 納米預計2022 下半年量產(chǎn)，當年產(chǎn)能預估將超過60 萬片12 吋晶圓。供應鏈透露，目前3 納米準備離開RD 階段、進入mini-line，一如往常，將由蘋果搶下頭香，臺積電也火力全開大力支持。而AMD也有望隨后跟上，且英特爾也有合作方案在進行。

　　供應鏈亦透露，3 納米制程將依循7 納米（7 納米、7 納米加強版、6 納米）、5 納米（5 納米、5 納米加強版、4 納米）的「家族模式」，客戶在同一制程節(jié)點可沿用既有設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)，達到100% 的IP 兼容，可加速產(chǎn)品創(chuàng)新及上市速度。目前臺積電也在規(guī)劃2.5 納米（或稱3+）制程，推估2023下半年量產(chǎn)。

　　業(yè)界人士表示，3 納米對臺韓晶圓代工雙雄來說是關(guān)鍵一役，兩強戰(zhàn)術(shù)大不相同。三星將直接采用GAA（環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)），而臺積電3 納米則選擇沿用FINFET（鰭式場效應晶體管）架構(gòu)，到了2 納米才導入GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的MBCFET 架構(gòu)，他認為，在既有架構(gòu)上求突破，以減少制程變動，相對具備成本效益。

　　他進一步指出，3 納米雖然沿用FINFET，但技術(shù)層次、投資金額均較過去高出許多，挑戰(zhàn)也不小，因此臺積電在產(chǎn)能規(guī)劃也比5納米更為積極，除反映出大客戶需求旺盛外，也希望客戶可以在3 納米世代停留久一些，為下一代2 納米做好充足準備。

　　此外管競爭對手三星在努力完善流程，試圖追趕臺積電，但鑒于目前臺積電已經(jīng)很好的掌握了EUV并取得了良好的進展，這種趨勢在可預見的未來不太可能改變。（參考閱讀：同樣的EUV光刻機，為什么只有臺積電能實現(xiàn)高量產(chǎn)？獨門絕技：一萬片晶圓落塵數(shù)只有幾顆！）

　　業(yè)內(nèi)消息人士指出，臺積電目前提供的5nm制程之后的大規(guī)模制程的生產(chǎn)路線圖被認為如下：（注：在5nm +和3nm之間，計劃插入4nm工藝，作為第三代5nm工藝，但是批量生產(chǎn)時間未知。）

　　5nm：2020年開始量產(chǎn)（在臺南最先進的“ Fab 18”工廠生產(chǎn)）

　　5nm+：計劃于2021年開始批量生產(chǎn)

　　3nm：計劃于2022年開始批量生產(chǎn)（臺南工廠建成，設(shè)備于2021年投入生產(chǎn)，風險生產(chǎn)計劃開始）

　　3nm+：計劃于2023年開始批量生產(chǎn)

　　2nm：計劃于2024年開始批量生產(chǎn)（工藝開發(fā)，新竹工廠建設(shè)，風險生產(chǎn)計劃于2023年開始）

　　1nm：正在研發(fā)中（在新竹總部附近，一個名為“ TSMC的貝爾實驗室”的大型研發(fā)中心正在建設(shè)中。）