比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，將繼續致力于應對汽車和工業市場的挑戰，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。

　　這個全新的可擴展平臺同時優化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。

　　該可擴展平臺中的第一款產品是一個三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，它具有低導通損耗特性，導通電阻為3.25毫歐（mOhm），同時具有低開關損耗特性，在600V/300A時導通和關斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過一個輕質的鋁碳化硅（AlSiC）針翅底板進行水冷，結到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達3600V的隔離電壓（經過50Hz、1分鐘的耐壓測試）。

　　內置的柵極驅動器包括3個板載隔離電源（每相1個），可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環境溫度下輕松驅動頻率高達25KHz的功率模塊。高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt（> 50KV/?s）的抗擾性可實現功率模塊的快速開關和低開關損耗。還具備欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）、去飽和檢測和軟關斷（SSD）等保護功能，以確保一旦發生故障時可以安全地驅動功率模塊并提供可靠的保護。

　　“開發和優化快速開關碳化硅功率模塊并可靠地驅動它們仍是一個挑戰，”CISSOID首席執行官Dave Hutton表示。“這款新型碳化硅智能功率模塊是在功率模塊和柵極驅動器方面進行多年開發的成果，這源于我們和汽車與交通運輸領域領導者們的密切合作。我們很樂意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模塊樣品，從而去支持汽車行業向高效的電動汽車解決方案過渡。”