2020年2月10日，北京——西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇。

　　基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計(jì)到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括1.33 Tb。

　　西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)與制造部門高級(jí)副總裁Steve Paak表示：“隨著又一個(gè)十年的到來，新的3D NAND演進(jìn)對(duì)于繼續(xù)滿足數(shù)據(jù)量的不斷增長和性能的需求都至關(guān)重要。BiCS5的成功生產(chǎn)體現(xiàn)了西部數(shù)據(jù)在閃存技術(shù)方面的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，以及對(duì)長期路標(biāo)的高效執(zhí)行力。通過利用多層存儲(chǔ)孔技術(shù)來提高存儲(chǔ)密度增加存儲(chǔ)的層數(shù)，我們顯著提高了3D NAND的容量和性能，從而不斷滿足用戶期待的高可靠性和低成本?！?/p>

　　BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。第二代多層存儲(chǔ)孔技術(shù)、改進(jìn)的制造工藝流程以及其他3D NAND單元的增強(qiáng)功能，顯著提高了整個(gè)晶圓水平面單元的陣列密度。這些“橫向擴(kuò)展”技術(shù)與112層垂直存儲(chǔ)能力相結(jié)合，使BiCS5相比于西部數(shù)據(jù)上一代的96層BiCS4技術(shù)，其每片晶圓的存儲(chǔ)容量提高了40%*以上，同時(shí)優(yōu)化了成本。新的設(shè)計(jì)改進(jìn)還提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4提升了50%**。

　　BiCS5是與其技術(shù)和制造伙伴鎧俠株式會(huì)社（Kioxia Corporation）共同研發(fā)，將會(huì)在日本三重縣四日市和日本巖手縣北上市的合資工廠生產(chǎn)。

　　依托BiCS5技術(shù)，西部數(shù)據(jù)將推出基于3D NAND技術(shù)的個(gè)人電子產(chǎn)品、智能手機(jī)、IoT設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等全方位系列產(chǎn)品。

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