集微網(wǎng)9月2日消息，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺。

　　長江存儲64層3D NAND閃存晶圓

　　長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

　　根據(jù)先前的資料，目前世界上最快的3D NAND的I/O速度目標(biāo)值是1.4Gbps，大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0Gbps或更低的速度。而利用Xtacking?技術(shù)，有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps，提升三倍左右。Xtacking?技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)標(biāo)志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

　　2018年我國進(jìn)口芯片數(shù)量為4175.7億件，金額達(dá)到3120.58億美元，其中存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到880億美元，市場比重超過四分之一，規(guī)模超過CPU、手機(jī)基帶等熱門芯片。但是，我國存儲芯片大部分依靠進(jìn)口，生產(chǎn)中國自己的存儲器就成為了國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)最重要的課題。此次，長江存儲啟動64層NAND閃存量產(chǎn)，不但填補(bǔ)了該領(lǐng)域的國內(nèi)空白，也極大縮短了與國際領(lǐng)先廠商的差距，為國內(nèi)存儲器今后的生產(chǎn)研發(fā)自主化打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

　　作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力于為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務(wù)，并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動設(shè)備制造商的需求。按照規(guī)劃，長江存儲將持續(xù)投入研發(fā)資源，以通過技術(shù)和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強(qiáng)勁的市場競爭力，更好地滿足全球客戶的需求。

　　長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示：“通過將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。”程衛(wèi)華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來，閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。”