各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動(dòng)、可再生能源和能源管理展覽及會(huì)議。

　　CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動(dòng)器板，該板針對(duì)額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動(dòng)器芯片組，還可以驅(qū)動(dòng)IGBT功率模塊，同時(shí)可為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中高密度功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)提供散熱空間。它支持高頻（> 100KHz）和快速的碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)（dV/dt> 50KV/μs），從而可以提升功率轉(zhuǎn)換器的效率并減小其尺寸和重量。該板專(zhuān)為惡劣的電壓環(huán)境而設(shè)計(jì)，支持1200V和1700V功率模塊的驅(qū)動(dòng)，隔離電壓高達(dá)3600V（經(jīng)過(guò)50Hz、1分鐘的耐壓測(cè)試），爬電距離為14mm。欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）和去飽和檢測(cè)等保護(hù)功能，確保一旦發(fā)生故障時(shí)既可以保證安全駕駛，還能為功率模塊提供可靠的保護(hù)。“這款新型碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器板是與汽車(chē)、運(yùn)輸和航空航天市場(chǎng)中的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者們多年合作開(kāi)發(fā)的成果。它結(jié)合了CISSOID在碳化硅器件方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)以及設(shè)計(jì)適應(yīng)惡劣環(huán)境的芯片和電子系統(tǒng)方面的長(zhǎng)期經(jīng)驗(yàn)。”CISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。

　　在紐倫堡，CISSOID還展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模塊。一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶體管已可供貨，其采用TO-247封裝，可以在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)正常工作。該MOSFET在25°C（結(jié)溫）時(shí)，漏極到源極導(dǎo)通電阻是40mOhms，在175°C（結(jié)溫）時(shí)，導(dǎo)通電阻是75mOhms。很低的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷能量（分別為1mJ和0.4mJ）使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇。CISSOID公司還展示了兩款額定電流分別為200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模塊。

　　CISSOID還在致力于研發(fā)碳化硅MOSFET功率模塊，并將在未來(lái)幾個(gè)月推出。“這些新產(chǎn)品表明CISSOID致力于提供全面的基于碳化硅的解決方案，包括晶體管、模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器，以支持行業(yè)在新型電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中使用高效、輕便、緊湊的功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品，”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示。“我們正與整車(chē)廠和汽車(chē)零部件供應(yīng)商密切合作，為新型碳化硅功率逆變器在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用定制柵極驅(qū)動(dòng)器。”他補(bǔ)充道。