0 引言

    隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品等市場(chǎng)的快速發(fā)展，低成本、高速、低功耗和多功能的嵌入式系統(tǒng)的需求給集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)帶來了更大的挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)更多復(fù)雜功能的單芯片集成度越來越高，同時(shí)單芯片功耗、成本也隨之增長。目前，芯片的面積和功耗問題制約著芯片性能進(jìn)一步提高，面積優(yōu)化、低功耗設(shè)計(jì)在現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)中越發(fā)重要，頻率、功耗、面積（PPA）指標(biāo)已經(jīng)是集成電路設(shè)計(jì)的重要指標(biāo)之一^[1]，通常在流片之前設(shè)計(jì)人員借助EDA工具對(duì)芯片的面積和功耗做一次精確的估算，芯片的面積及功耗是評(píng)估是否滿足設(shè)計(jì)要求的重要參數(shù)之一。

    集成電路設(shè)計(jì)按照設(shè)計(jì)抽象層次可分為系統(tǒng)算法級(jí)、寄存器傳輸級(jí)、邏輯電路級(jí)和晶體管級(jí)。在超深亞微米工藝下的集成電路設(shè)計(jì)中，針對(duì)面積優(yōu)化和低功耗設(shè)計(jì)，從晶體管級(jí)到系統(tǒng)算法級(jí)各層次都有相關(guān)方面的研究，抽象層次越高其優(yōu)化效果越明顯。文獻(xiàn)[2]詳細(xì)講述數(shù)字集成電路在系統(tǒng)級(jí)、寄存器級(jí)、晶體管級(jí)等各個(gè)層次目前主流的低功耗設(shè)計(jì)方法。其中，系統(tǒng)算法級(jí)主要采取的是軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)、功耗管理等方法降低系統(tǒng)級(jí)功耗。寄存器傳輸級(jí)主要采用編碼技巧、門控時(shí)鐘等技術(shù)來減低信號(hào)跳變的次數(shù)。邏輯電路級(jí)和晶體管級(jí)主要是從邏輯表達(dá)式設(shè)計(jì)、先進(jìn)的制造工藝等方法實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)。目前減少芯片面積主要采用新的工藝、邏輯電路設(shè)計(jì)等方法來達(dá)到目標(biāo)，文獻(xiàn)[3]從進(jìn)位選擇器邏輯電路設(shè)計(jì)縮小芯片面積。本文基于一款成功流片的SoC芯片項(xiàng)目，從系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化面積和低功耗設(shè)計(jì)。

1 功耗、面積問題分析

    芯片的功耗主要有靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗^[3]，計(jì)算門級(jí)SoC功耗的估算為式(1)：

    靜態(tài)功耗（Cell Leakage Power）主要是由CMOS電路結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的漏電流功耗和旁置電路功耗。漏電流功耗可以從工藝庫中查找對(duì)應(yīng)的功耗，項(xiàng)目一旦完成設(shè)計(jì)，靜態(tài)功耗P_LeakageTotal基本就能計(jì)算出來。相對(duì)于動(dòng)態(tài)功耗，靜態(tài)功耗對(duì)集成電路設(shè)計(jì)影響不大^[5]，可以忽略不計(jì)，一般低功耗設(shè)計(jì)基本都是針對(duì)動(dòng)態(tài)功耗。

    動(dòng)態(tài)功耗主要由短路電流（Cell Internal Power）和開關(guān)電容（Net Switching Power）組成。P_Switching是單元門器件輸出端i負(fù)載電容充放電的功耗，TR(i)為線i的信號(hào)跳變率，即單位時(shí)間內(nèi)信號(hào)由低電平到高電平、由高電平到低電平的跳變次數(shù)；C_Load(i)為門器件輸出端i的線載電容。

    P_Internal是由單元門器件電容充放電、P晶體管和N晶體管在關(guān)閉和打開過程中短路形成的功耗。TR(z)表示器件輸出端的信號(hào)跳變率。從式(3)和式(4)可以看出，動(dòng)態(tài)功耗與信號(hào)的跳變、電容有直接關(guān)系，而工作頻率直接影響信號(hào)的跳變以及電容的充放電，可見，工作頻率與P_Switching、P_Internal是強(qiáng)相關(guān)關(guān)系。

    芯片的面積由組合邏輯面積(Combinational Area)、緩沖器和反相器面積(Buf/Inv Area)、非組合邏輯面積(Noncombinational Area)等面積組成。在超深亞微米工藝條件下，邏輯組合電路利用半導(dǎo)體開關(guān)元件導(dǎo)通、截止的工作特性實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算。利用門電路在不同頻率下的開關(guān)工作原理，調(diào)節(jié)時(shí)鐘信號(hào)減少面積，如優(yōu)化邏輯通路不同的時(shí)間延遲，合理規(guī)劃不同觸發(fā)器件的不同延遲，從而實(shí)現(xiàn)面積優(yōu)化^[6]。

    面積的大小關(guān)系到芯片的成本，功耗的高低關(guān)系到芯片的性能。在符合功能設(shè)計(jì)要求情況下，面積越小，成本越低，功耗越低，性能越穩(wěn)定。衡量面積與功耗是一種常見的手段，本文針對(duì)已經(jīng)完成設(shè)計(jì)的項(xiàng)目，保持其性能不變，重點(diǎn)研究如何通過動(dòng)態(tài)頻率進(jìn)一步綜合優(yōu)化面積和降低功耗。

2 動(dòng)態(tài)頻率閉環(huán)設(shè)計(jì)

    對(duì)于系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)中，根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的具體功能要求，一般就基本確認(rèn)芯片的工藝、運(yùn)行工作頻率等參數(shù)要求范圍；其次根據(jù)項(xiàng)目設(shè)計(jì)需求設(shè)計(jì)約束條件，基于約束條件在EDA工具進(jìn)行仿真驗(yàn)證；最后通過精確的功耗和面積估算完成設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)流程如圖1所示。其中，工程師只對(duì)設(shè)計(jì)值作出規(guī)定的響應(yīng)，沒有通過多次仿真結(jié)果動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)工作頻率，大多都是靠工程師的經(jīng)驗(yàn)來設(shè)計(jì)，通過經(jīng)驗(yàn)值給定大概工作頻率，按照?qǐng)D1的設(shè)計(jì)流程通過EDA工具再一次進(jìn)行精確的仿真并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)。圖1所示的設(shè)計(jì)流程圖可以認(rèn)為是開環(huán)設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)是工作流程簡(jiǎn)單，但最優(yōu)頻率選擇精度不高，自動(dòng)糾偏的能力較弱，對(duì)于經(jīng)驗(yàn)不足的工程師，存在偏高功耗和面積的風(fēng)險(xiǎn)。

    由式（1）可知，各節(jié)點(diǎn)的信號(hào)跳變率決定著芯片功耗，信號(hào)的跳變率由時(shí)鐘源決定，根據(jù)上述分析芯片面積與工作頻率直接相關(guān)。本文不更改原有的項(xiàng)目設(shè)計(jì)，在原有開環(huán)設(shè)計(jì)流程(圖1)中，建立反饋和訓(xùn)練通道，動(dòng)態(tài)頻率為調(diào)節(jié)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)頻率閉環(huán)設(shè)計(jì)(如圖2所示)。動(dòng)態(tài)頻率閉環(huán)設(shè)計(jì)通過多組工作頻率下對(duì)應(yīng)的功耗和面積數(shù)據(jù)進(jìn)行反饋和訓(xùn)練，建立工作頻率、功耗、面積的數(shù)學(xué)模型，綜合考慮面積、功耗兩個(gè)重要指標(biāo)，計(jì)算出最優(yōu)的工作頻率實(shí)現(xiàn)優(yōu)化面積和降低功耗設(shè)計(jì)。

    動(dòng)態(tài)頻率閉環(huán)設(shè)計(jì)流程如圖3所示，主要步驟如下：

    （1）項(xiàng)目設(shè)計(jì)要求。根據(jù)項(xiàng)目功能設(shè)計(jì)要求，編寫時(shí)序等約束條件，并確認(rèn)目標(biāo)頻率的有效范圍。

    （2）實(shí)驗(yàn)仿真。編寫腳本，給定頻率初始值，運(yùn)用EDA工具綜合，并給出Timing、Area、Power的報(bào)告。

    （3）數(shù)據(jù)記錄。記錄多組不同的工作頻率下，芯片面積、功耗等相關(guān)參數(shù)。

    （4）數(shù)據(jù)篩選。保持功能不變，篩選所有滿足約束條件的芯片面積和芯片功耗具體參數(shù)。

    （5）建立模型。根據(jù)記錄的數(shù)據(jù)，分別建立面積與頻率、功耗與頻率數(shù)學(xué)模型。

    （6）求最優(yōu)解。綜合兩組數(shù)學(xué)模型，并求出工作頻率的最優(yōu)解。

    基于動(dòng)態(tài)頻率閉環(huán)設(shè)計(jì)，相對(duì)于開環(huán)設(shè)計(jì)，動(dòng)態(tài)功率閉環(huán)設(shè)計(jì)精度高，選擇最優(yōu)的工作頻率實(shí)現(xiàn)面積優(yōu)化和降低功耗；其次適應(yīng)性強(qiáng)，閉環(huán)設(shè)計(jì)可以適應(yīng)于不同的項(xiàng)目中，無需具備豐富經(jīng)驗(yàn)的工程師，有效地減少項(xiàng)目試錯(cuò)成本，提高項(xiàng)目設(shè)計(jì)效率。本文基于一款已經(jīng)成功流片0.11 μm工藝的SoC芯片，項(xiàng)目設(shè)計(jì)工作頻率為50 MHz，實(shí)際功能需求最低功耗為36 MHz，運(yùn)用本方法在這一款芯片上進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化面積和降低功耗設(shè)計(jì)。

3 實(shí)驗(yàn)仿真

    根據(jù)動(dòng)態(tài)功耗閉環(huán)設(shè)計(jì)，篩選通過約束條件的芯片面積和芯片功耗的數(shù)據(jù)，通過曲線擬合分別建立面積&時(shí)鐘周期和功耗&時(shí)鐘周期的數(shù)學(xué)模型，如圖4、圖5所示。

    其中，由圖4建立芯片面積與時(shí)鐘周期的數(shù)學(xué)模型如式(5)所示：

    通過計(jì)算可知，時(shí)鐘周期t=22 ms，工作頻率f=1/t=45 MHz是本設(shè)計(jì)的最優(yōu)解。表1和表2分別為工作頻率45 MHz和50 MHz下仿真測(cè)試記錄的芯片面積和芯片功耗數(shù)據(jù)。

    根據(jù)表1、表2可以看出，工作頻率45 MHz下的芯片總體相對(duì)比原有工作頻率50 MHz下的芯片面積縮小約0.59%，其中組合邏輯面積縮小1.17%，緩沖器和反相器面積縮小1.36%。芯片的功耗相對(duì)比面積優(yōu)化幅度更加明顯，工作頻率45 MHz下的芯片總體功耗相對(duì)比原有工作頻率50 MHz下的芯片功耗減少9.01%，其中短路電流功耗和開關(guān)電容功耗分別減少9.09%、9.10%。

4 結(jié)論

    保持原設(shè)計(jì)不變，本文基于系統(tǒng)級(jí)動(dòng)態(tài)功耗閉環(huán)設(shè)計(jì)，進(jìn)一步減少面積和降低功耗，通過數(shù)據(jù)收集及仿真分析表明：本文提出的優(yōu)化方法設(shè)計(jì)可以取得較好的優(yōu)化面積和功耗，在實(shí)際工程中具有一定的參考價(jià)值。

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作者信息:

詹瑞典1，2，楊家昌1，2

(1.佛山芯珠微電子有限公司，廣東 佛山528225；2.廣東工業(yè)大學(xué) 自動(dòng)化學(xué)院，廣東 廣州510006)