Power MOSFET靜態(tài)特性主要指輸出特性和轉(zhuǎn)移特性，與靜態(tài)特性對應(yīng)的主要參數(shù)有漏極擊穿電壓、漏極額定電壓、漏極額定電流和柵極開啟電壓等。

1、 靜態(tài)特性

（1） 輸出特性

　　輸出特性即是漏極的伏安特性。特性曲線，如圖2(b)所示。由圖所見，輸出特性分為截止、飽和與非飽和3個(gè)區(qū)域。這里飽和、非飽和的概念與GTR不同。飽和是指漏極電流ID不隨漏源電壓UDS的增加而增加，也就是基本保持不變；非飽和是指地UCS一定時(shí)，ID隨UDS增加呈線性關(guān)系變化。

（2） 轉(zhuǎn)移特性

　　轉(zhuǎn)移特性表示漏極電流ID與柵源之間電壓UGS的轉(zhuǎn)移特性關(guān)系曲線，如圖2(a)所示。轉(zhuǎn)移特性可表示出器件的放大能力，并且是與GTR中的電流增益β相似。由于Power MOSFET是壓控器件，因此用跨導(dǎo)這一參數(shù)來表示?？鐚?dǎo)定義為

                          （1）

　　圖中UT為開啟電壓，只有當(dāng)UGS=UT時(shí)才會出現(xiàn)導(dǎo)電溝道，產(chǎn)生漏極電流ID。

2、  主要參數(shù)

（1）漏極擊穿電壓BUD

　　BUD是不使器件擊穿的極限參數(shù)，它大于漏極電壓額定值。BUD隨結(jié)溫的升高而升高，這點(diǎn)正好與GTR和GTO相反。

（2）漏極額定電壓UD

　　UD是器件的標(biāo)稱額定值。

（3）漏極電流ID和IDM

　　ID是漏極直流電流的額定參數(shù)；IDM是漏極脈沖電流幅值。

（4）柵極開啟電壓UT

　　UT又稱閥值電壓，是開通Power MOSFET的柵-源電壓，它為轉(zhuǎn)移特性的特性曲線與橫軸的交點(diǎn)。施加的柵源電壓不能太大，否則將擊穿器件。

（5）跨導(dǎo)gm

　　gm是表征Power MOSFET 柵極控制能力的參數(shù)。