雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器使用最少用于LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的外部元件

　　PCIM 2017 –9號(hào)廳 342號(hào)展位- 德國(guó)紐倫堡–2017年5月16日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出了先進(jìn)的同步整流(SR)控制器優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。FAN6248需用的額外元件最少，提供高能效，簡(jiǎn)化熱管理，提升整體系統(tǒng)可靠性，和簡(jiǎn)化LLC電源的設(shè)計(jì)。

　　FAN6248是用于現(xiàn)代高性能電源單元（PSU）的一個(gè)理想方案，這些應(yīng)用要求在一個(gè)小的空間提供高可靠性和能效。典型應(yīng)用包括服務(wù)器和臺(tái)式電腦、游戲機(jī)、大屏LCD TV和OLED TV、網(wǎng)絡(luò)、電信和LED照明。

　　該器件采用先進(jìn)混合的SR控制法，結(jié)合瞬時(shí)漏電壓檢測(cè)與以前的開關(guān)周期信息。單獨(dú)的100 V額定值檢測(cè)輸入準(zhǔn)確地檢測(cè)到兩個(gè)SR MOSFET兩端的漏源電壓，支持次級(jí)繞組中的任何不對(duì)稱或不良耦合。FAN6248采用這種先進(jìn)的控制法，防止電流反向和避免由于電容電流尖峰誤觸發(fā)SR，提供高度可靠的工作。在控制器內(nèi)的反擊穿控制增強(qiáng)PSU的可靠性和防止同時(shí)導(dǎo)通兩個(gè)SR MOSFET的潛在破壞性。

　　FAN6248和僅兩個(gè)外部電阻及MOSFET成就一個(gè)支持達(dá)800 W的簡(jiǎn)單LLC轉(zhuǎn)換器。尤其在嘈雜的環(huán)境中，添加兩個(gè)電容器進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。FAN6248在寬范圍的功率等級(jí)可靠、高效地運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)上述諧振工作而不產(chǎn)生電壓尖峰。在空載時(shí)，F(xiàn)AN6248進(jìn)入綠色模式和關(guān)閉。在輕載條件下，在綠色模式的控制器脈沖提供高能效標(biāo)準(zhǔn)如80 PLUS?、DoE VI和 CoC Tier 2所要求的極高能效供電。

　　內(nèi)置自適應(yīng)寄生電感補(bǔ)償還最大限度地減少由于封裝的雜散電感在SR MOSFET的體二極管導(dǎo)通，從而提高PSU能效。該系列有四款器件；電源設(shè)計(jì)人員能基于開關(guān)頻率（25 kHz至70 khz或60 kHz至700 kHz）和與MOSFET有關(guān)的雜散電感水平選擇最適合他們應(yīng)用的型號(hào)。范圍適用于采用TO-220、D2PAK、DPAK或PQFN封裝形式的MOSFET。此外，F(xiàn)AN6248的10.5 V高柵極驅(qū)動(dòng)輸出確保能驅(qū)動(dòng)這些極寬廣范圍的MOSFET。

　　安森美半導(dǎo)體電源轉(zhuǎn)換方案總經(jīng)理Shane Chilton說(shuō)：“FAN6248全面解決現(xiàn)代LLC電源設(shè)計(jì)人員的需求。創(chuàng)新之處如混合控制法和自適應(yīng)寄生電感補(bǔ)償確?？煽亢透咝У倪\(yùn)行。僅需兩個(gè)電阻器和MOSFET便能實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的LLC轉(zhuǎn)換器，該控制器將廣受需要高性能的應(yīng)用設(shè)計(jì)工程師的歡迎。”

　　安森美半導(dǎo)體提供設(shè)計(jì)支援，包括采用完整的LLC設(shè)計(jì)的一個(gè)240 W評(píng)估板，還提供子板以結(jié)合FAN6248到現(xiàn)有設(shè)計(jì)。請(qǐng)聯(lián)系您的安森美半導(dǎo)體銷售代表以申請(qǐng)?jiān)u估板。

　　封裝和定價(jià)

　　FAN6248采用SOIC-8封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.487美元。欲了解更詳盡的產(chǎn)品信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站。