事件回顧
近日，有網(wǎng)友、媒體（GizmoChina）用讀寫速度跑分軟件AndroBench 5.0測(cè)試華為P10，結(jié)果顯示，不同的華為P10系列手機(jī)會(huì)顯示出三組不同的讀寫速度。
根據(jù)華為官方的性能測(cè)試顯示，麒麟960搭配UFS
2.1閃存的連續(xù)讀取（Sequential
Write）速度超過(guò)800MB/s，連續(xù)寫入接近180MB/s，隨機(jī)讀取超過(guò)140MB/s，隨機(jī)寫入也有14MB/s左右。而UFS
2.0閃存的連續(xù)讀取速度一般在400MB/s以上，而寫入速度在100MB/s以上。eMMC標(biāo)準(zhǔn)閃存的連續(xù)讀取速度只有200-300MB/s之間。
因此，根據(jù)跑分結(jié)果華為P10系列手機(jī)采用了三種不同的閃存：UFS 2.1、UFS 2.0、eMMC 5.1。但外界普遍認(rèn)為華為P10系列采用UFS 2.1閃存，因此外界認(rèn)為華為存在欺騙消費(fèi)者行為。
負(fù)面曝光之后，華為終端、余承東數(shù)次回應(yīng)該事件，承認(rèn)華為P10系列存在混合采用多種閃存的同時(shí)，認(rèn)為不同閃存并不影響手機(jī)體驗(yàn)。
新一代UFS
在高速數(shù)字接口中，并行總線越來(lái)越少。原因很簡(jiǎn)單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸，抖動(dòng)、串?dāng)_、信號(hào)偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時(shí)間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。
在高速串行／解串器（Serdes）技術(shù)取得突破后，新式串行總線越來(lái)越流行，以USB和PCIe為代表的串行總線在板級(jí)以串行方式連接、在芯片內(nèi)部將數(shù)據(jù)譯碼成平行數(shù)據(jù)，從而使得板級(jí)數(shù)據(jù)線路之間的關(guān)系去耦合，既大幅降低了板級(jí)布線難度，又突破了系統(tǒng)帶寬限制。因此，新式串行總線正如火如荼地進(jìn)展，在個(gè)人計(jì)算機(jī)（不含工控與特殊用途計(jì)算機(jī)）領(lǐng)域，PCIe接口已經(jīng)完全取代PCI接口，SATA接口也完全取代了PATA接口。
不過(guò)，在手機(jī)儲(chǔ)存接口方面，嵌入式多媒體卡（eMMC）規(guī)格的市占率仍然較高，原因之一是移動(dòng)設(shè)備對(duì)于儲(chǔ)存性能的要求較個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）更低。然而，隨著游戲與視頻應(yīng)用在移動(dòng)設(shè)備上的普及，以及手機(jī)處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足移動(dòng)設(shè)備對(duì)于內(nèi)存讀寫性能的要求，新一代的通用閃存儲(chǔ)存（UFS）規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。
UFS的性能優(yōu)勢(shì)
多媒體卡（MMC）標(biāo)準(zhǔn)于1997年問(wèn)世，說(shuō)來(lái)有趣，MMC最初的標(biāo)準(zhǔn)就是一根數(shù)據(jù)線，后來(lái)擴(kuò)展到8根數(shù)據(jù)線，eMMC標(biāo)準(zhǔn)則將閃存顆粒和控制器放入更緊密的球門陣列（BGA）封裝，以適應(yīng)移動(dòng)設(shè)備對(duì)封裝尺寸的要求。首批eMMC產(chǎn)品于2007年正式推向市場(chǎng)，到目前為止，JEDEC的最新標(biāo)準(zhǔn)為eMMC 5．1。
如前所述，并行總線在速度增加到一定值時(shí)將無(wú)法滿足時(shí)序要求，eMMC標(biāo)準(zhǔn)單根數(shù)據(jù)線的極限速度為400Mbps左右，8位數(shù)據(jù)線標(biāo)準(zhǔn)eMMC接口一次傳輸峰值速度為400兆字節(jié)每秒（400MB／s）。相形之下，UFS2．0單信道峰值速度為5．8Gpbs，現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)為雙信道，所以速度可達(dá)1，160MB／s，將近eMMC標(biāo)準(zhǔn)的3倍。
圖1：e－MMC與UFS接口比較
而且，由于eMMC是半雙工模式，主、從之間數(shù)據(jù)不能同時(shí)互動(dòng)，而UFS是全雙工模式，便于傳輸性能的提升。所以采用UFS接口的系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間更快，讀寫響應(yīng)也更迅速。根據(jù)東芝（Toshiba）的資料，在連續(xù)讀取、隨機(jī)讀取、連續(xù)寫入與隨機(jī)寫入等操作中，UFS 2．1產(chǎn)品基本能夠達(dá)到eMMC 5．1產(chǎn)品的1－3倍。UFS新一代標(biāo)準(zhǔn)還將大幅提高讀寫性能，但eMMC性能再提升的空間并不大。
UFS規(guī)格以先進(jìn)的Serdes技術(shù)為基礎(chǔ)，其讀寫性能的大幅提升并未以大量增加功耗為代價(jià)。由于UFS信號(hào)電壓擺幅只有200毫伏（mV），而eMMC標(biāo)準(zhǔn)是1．8伏（V）或3．3V，因此兩種產(chǎn)品待機(jī)功耗相差無(wú)幾，而且從第三代到第五代，東芝的每一代UFS產(chǎn)品功耗水平都得到了提升。
從eMMC轉(zhuǎn)向UFS接口
從并行總線換到串行總線，減少了高速數(shù)據(jù)線的連接，簡(jiǎn)化了硬件工程師的工作。
以東芝的產(chǎn)品為例，UFS封裝與eMMC封裝一致，用戶可以選擇對(duì)應(yīng)的封裝直接取代。相較于第三代UFS產(chǎn)品使用三電源供電，東芝的第四代與第五代UFS產(chǎn)品不必再使用1．2V電源，從而使內(nèi)存模塊的電源設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單。
圖2：第四代以后的UFS內(nèi)存只需要兩個(gè)電源
在固件層面，相較于eMMC產(chǎn)品，新一代的UFS產(chǎn)品已經(jīng)將除錯(cuò)、壞塊管理、損耗平衡以及垃圾回收等功能一并封裝，為用戶在閃存應(yīng)用開(kāi)發(fā)上節(jié)省了大量的時(shí)間。
為了方便用戶除錯(cuò)，有些UFS產(chǎn)品還提供了板級(jí)除錯(cuò)接腳。以東芝第5代UFS產(chǎn)品為例，用戶只需將2個(gè)除錯(cuò)接腳連接到PCB的除錯(cuò)工具接口即可，不需要額外增加電阻電容。而當(dāng)出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，用戶只需利用除錯(cuò)工具透過(guò)這2個(gè)接腳連到UFS內(nèi)存上進(jìn)行除錯(cuò)。
既然UFS較eMMC的性能更大幅提升，更換設(shè)計(jì)又不復(fù)雜，那么當(dāng)UFS產(chǎn)品成熟時(shí)，產(chǎn)品替代進(jìn)程將非常快。根據(jù)東芝對(duì)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，2017年上半年的旗艦型手機(jī)將普遍采用UFS接口。從2017年下半年開(kāi)始，中階手機(jī)也將逐步改用UFS閃存，UFS接口在高階平板中的普及率也將過(guò)半。
圖3：UFS市場(chǎng)前景
從東芝UFS產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖來(lái)看，UFS 2．0與2．1產(chǎn)品均已經(jīng)量產(chǎn)，新一代UFS接口的研發(fā)也緊鑼密鼓，預(yù)期UFS市場(chǎng)的成長(zhǎng)曲線將非常陡峭，eMMC在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的歷史使命已經(jīng)完成，UFS的時(shí)代即將來(lái)臨。