三星全新旗艦手機Galaxy S7/S7 edge已經在MWC2016開幕的前一天發布，S7/S7 edge身上有許多亮點，例如雙曲面Super AMOLED屏幕，IP68級別的三防功能，佳能全像素雙核傳感器技術等等，這確實能給用戶不少全新的體驗。而硬件配置作為良好體驗的基礎，旗艦的 Galaxy S7/S7 edge又怎能落后呢?關于三星自主設計/制造的處理器，你又知多少呢?今天，筆者和大家一起聊聊三星處理器的發展歷程，以及Galaxy S7/S7 edge的“大腦”:Exynos 8890與驍龍820。

三星制造處理器已經15個年頭

　 　三星作為半導體領域的IDM廠商，其自身具備IC的設計能力以及生產能力。三星移動處理器（以下簡稱為Soc）發展至今已經經歷了15個年頭，其中不少 經典的移動產品像iPhone 1代、iPod nano 2都搭載有三星的Soc。除了Soc之外，三星的產業（移動設備內）還涉及到多方面的設計制造，例如手機上的LPDDR3/4 RAM、eMMC/UFS標準的ROM芯片、OLED屏幕、攝像頭模塊等等，是全球僅有的一家核心部件自給自足的手機廠商。當然，以上提及到的產品都可以 出售，三星也有自己的晶圓生產基地，用于自家芯片的生產以及別家Fabless廠商的芯片代工，例如蘋果A9處理器，高通驍龍820處理器等等。

Exynos 4210/4212:三星首款雙核處理器

　　Exynos 4210/4212有一個為人熟悉的名字:獵戶座，其首次搭載在三星首款雙核手機:Galaxy S2（I9100）上，雖然這款神機年事已高，但CM團隊甚至為其推出了Android 6.0的Nightlies版本。Exynos 4210采用45nm制程節點制造，內置兩顆1.2GHz的arm Cortex-A9核心，集成Mali T400 GPU，支持LPDDR2/3內存，支持30fps/1080p的高清拍攝回放，性能不弱于同期的高通MSM8260以及Nvidia的Tegra 2。

Galaxy S2

　　除了Galaxy S2，這款處理器也搭載在Galaxy Note以及魅族MX上面。而之后的Exynos 4212更是升級到32nm HKMG制程工藝，主頻提高到1.5GHz。

　　Exynos 4412:四核心Cortex-A9架構

　 　雖然Exynos 4412同樣采用4210/4212上的Cortex-A9核心，但32nm HKMG的制程工藝卻讓Cortex-A9發揮得更完美，以至于Exynos 4412內置4核A9在性能以及功耗上都取得了更好的平衡，GPU方面Exynos 4412依然集成Mali T400，同樣支持當時最高規格的LPDDR3，整體性能上和高通Snapdragon S4不相上下，但功耗控制卻比S4更優秀。

Galaxy S3

　　Exynos 4412搭載在Galaxy S3上面，而Galaxy Note2、魅族MX2同樣采用這款處理器。

　　Exynos 7420:更爭氣的A57+A53架構

　 　Exynos 7420搭載在Galaxy S6系列機型上，是三星首款14nm FinFET LPE工藝的處理器產品，其內置4*A57+4*A53核心，A57主頻高達2.1GHz，集成Mali T760 GPU，也是三星首款支持LPDDR4內存的Soc，因為基于14nm LPE工藝，Exynos 7420性能強勁之余也非常火熱，但已經比隔壁家的要好。

Galaxy S6 edge+

　 　當然，除了上述的3款處理器之外，三星還有相當多值得一提的經典處理器，例如業界首款采用Cortex-A15內核的雙核Exynos 5250/四核Exynos 5410，與驍龍810同為A57+A53核心的Exynos 5433。考慮到文章篇幅過長，筆者就不一一解析了。而Exynos 8890作為三星2016年旗艦Soc，它到底是怎樣的呢?莫慌，繼續往下看。

Galaxy S7處理器共有兩個版本

　　據悉，三星Galaxy S7擁有兩個處理器的版本，分別搭載了Exynos 8890以及高通820。而更有消息指國行S7采用的是高通驍龍820版本，而國際版采用的是Exynos 8890，這可能是因為1.國行有電信CDMA制式，而高通820內置的基帶以及捆綁的射頻芯片組支持全網通，三星也就免去了像Galaxy S6外掛高通基帶實現全網通的麻煩事，2.高通驍龍820采用三星14nm FinFET LPP制程工藝制造，換句話來說就是不熱了，三星也更愿意使用驍龍820。

Exynos 8890參數解析:自主架構更強大

　　三星旗艦Soc，Exynos 8890基于三星14nm FinFET LPP工藝（比蘋果A9的制程工藝更先進），在制程節點上與上代旗艦Exynos 7420相同，而工藝則從FinFET LPE升級到LPP，擁有更低的漏電率，核心頻率也能進一步拉高。而架構方面，8890內置4*Mongoose+4*A53核心（共8核心設計），前面4個自主研發的Mongoose內核主頻可達2.3GHz（超頻可達2.5GHz）用于提高性能，后面4個A53核心主頻為1.56GHz（超頻可達2.2GHz）用于兼顧功耗。而GPU（圖形處理器）方面則為Mali T880 12核心設計（據悉存在配備16核心的版本）。

Exynos 8890

　 　而內存方面依舊為雙通道的LPDDR4，值得一提的是和Exynos 8890捆綁使用的最新Shannon基帶（拆解顯示為Shannon 935），下行支持Cat 12，理論速度達到600Mbps，而上行也支持到Cat 13，理論速度達到150Mbps。達到了高通X12 LTE基帶的性能。

Exynos 8890性能測試:比上代7420/驍龍810強得多

　　結果來自Geekbench數據庫與GFXbench（全為Offscreen）數據庫。

       由于搭載Exynos 8890的機型還沒開賣，所以僅能通過理論跑分成績來說明其性能表現。單從數據上看來，Exynos 8890的單核性能已經比高通上代旗艦驍龍810以及三星上代旗艦Exynos 7420強不少，Exynos 8890的單核性能基本上是驍龍810、Exynos 7420的兩倍，而GPU方面，Exynos 8890同樣領先于另外兩者，無論CPU性能還是GPU性能都有較大幅度的提升。

　　而隨著Exynos 8890的機型逐漸出貨，其驅動以及軟件/游戲的優化也會陸續跟上，相信具體性能會繼續往上攀升。

14nm LPP工藝的Exynos 8890發熱更少

　 　可能很多朋友會對這款處理器產生疑問，這么強大的處理器，發熱怎么樣。鑒于筆者手上也沒有搭載這款處理器的相應機型，所以具體發熱狀況暫且不妄下定論。 但Exynos 8890采用14nm FinFET LPP工藝制造，相信發熱“理論”上會得到控制，究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?筆者來簡單闡述一下。

FinFET顯微圖

　 　其實早在10多年前，就有人提出FinFET這個結構，FinFET主要重新設計了晶體管里面的S/D兩級以及最為關鍵的Gate結構（什么是S/D /Gate今天不說，不然文章起碼要多2000字），讓Gate對通/斷的控制力更強，也就是在更先進的制程節點上，減少S/D兩級之間的漏電流，而漏電 流會直接影響處理器的功耗。而驍龍810的20nm HKMG工藝，就是Gate控制力低下（對于20nm節點），導致漏電問題嚴重，所以發熱以及功耗得不到良好的控制。

FinFET工藝示意圖

　 　而臺積電/三星在16nm/14nm節點上都使用了FinFET技術，增強了Gate對S/D的控制力，減少漏電流。此外，隨著三星14nm FinFET LPE過渡到LPP工藝的成熟，良品率會逐漸上升，成本慢慢下降，也利于三星在晶圓的制造過程中使用更好的工藝去控制功耗。

　　Exynos 8890的發熱情況本站將會進行相應的測試。

總結:三星自主處理器的又一里程碑

　　搭載Exynos 8890的Galaxy S7已經發布。另外，在15年12月的驍龍820亞洲首秀上，高通表示已經有超過70款終端采用這顆處理器，相信到現在已經突破了這一數字。

　　Exynos 8890身上有著相當多創新之處，例如自主設計的Mongoose核心以及自主架構+arm 公版架構的雙簇式設計，能很好地兼顧高性能與低功耗。整體來說，Exynos 8890的性能表現在2016年奪下安卓手機平臺處理器性能寶座并不是問題。

　　然而，Exynos 8890多核性能秒蘋果A9不是問題，而工藝上面也采用比A9 LPE更強的LPP。