富士通電子元器件市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理蔡振宇

       在整個(gè)功率器件發(fā)展的過程中，大家可以看到1970年有第一個(gè)可控硅出來，隨著時(shí)間和技術(shù)的推移，功率密度要求變得逐漸提升，后面是二級(jí)晶體管，慢慢到上世紀(jì)90年代末出現(xiàn)了IGBT。2000年的時(shí)候業(yè)界就提出硅基產(chǎn)品快達(dá)到物理極限。未來如何讓開關(guān)頻率進(jìn)一步提高？現(xiàn)在市場(chǎng)上有兩個(gè)新材料，一個(gè)是氮化鎵，還有一個(gè)是碳化硅，都可以滿足這一要求。

       氮化鎵和碳化硅最大特點(diǎn)是開關(guān)頻率可以很高，材質(zhì)比較適合高壓的應(yīng)用。碳化硅和氮化鎵兩個(gè)材質(zhì)各有各的特點(diǎn)，氮化鎵的電子流動(dòng)性會(huì)比較高，開關(guān)性特別好。碳化硅的高壓性能會(huì)比較好一些。

主流氮化鎵產(chǎn)品對(duì)比

       我們的氮化鎵產(chǎn)品，從性能上說具備許多優(yōu)勢(shì)。從應(yīng)用角度來看，主要有以下幾種主流應(yīng)用。第一個(gè)應(yīng)用是太陽能逆變，這個(gè)應(yīng)用相對(duì)比較普遍。產(chǎn)品體積可以比較小，能量密度很高。其次是服務(wù)器電源的特有應(yīng)用，可以達(dá)到最高 99%的效率，體積也更小。

      目前氮化鎵整體產(chǎn)業(yè)發(fā)展已經(jīng)步入到了新的階段。第一代氮化鎵已經(jīng)達(dá)到硅基甚至比硅基有更好的物理性能。下一代的產(chǎn)品會(huì)做更低成本、更好的性能。現(xiàn)在已經(jīng)有越來越多的典型應(yīng)用采用氮化鎵功率產(chǎn)品。今年是氮化鎵非常重要的一年。

       當(dāng)然，由于是新技術(shù)，整體成本還是相對(duì)比較高的。這個(gè)產(chǎn)品剛推出的時(shí)候大概是硅基產(chǎn)品3倍的價(jià)格，到2014年大概是2倍的范圍。2015年隨著用量和生產(chǎn)制程的改進(jìn)，價(jià)格是1.5倍-1.6倍。2016年我們預(yù)計(jì)隨著量產(chǎn)，價(jià)格會(huì)慢慢降低，可以做到1.2倍-1.3倍的價(jià)格。這有利于氮化鎵產(chǎn)品的大規(guī)模推廣。

       前面談到一個(gè)材質(zhì)叫碳化硅，它的襯底都是碳化硅做的，碳化硅很硬，要鉆石刀才能切割。從未來成本的角度看，氮化鎵會(huì)比碳化硅更便宜。