橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、功率芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款汽車質(zhì)量級(jí)碳化硅 (SiC) 二極管，以滿足電動(dòng)汽車和插電式混合動(dòng)力汽車(PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽車對(duì)車載充電器(OBC, on-board battery chargers)在有限空間內(nèi)處理大功率的苛刻要求。

     這些二極管讓設(shè)計(jì)人員能夠研發(fā)更小的電源模塊，這不僅對(duì)汽車電源系統(tǒng)有益，還使其成為克服Google和IEEE提出的逆變器小型化挑戰(zhàn)的關(guān)鍵選擇。Google出資高達(dá)100萬美元獎(jiǎng)金征集比現(xiàn)有逆變器的十分之一還小，且適合各種應(yīng)用領(lǐng)域，特別是太陽(yáng)能微型發(fā)電機(jī)(solar micro-generator) 的千瓦級(jí)逆變器設(shè)計(jì)；意法半導(dǎo)體是這項(xiàng)公開挑戰(zhàn)賽的合作廠商。

     新款二極管采用先進(jìn)技術(shù)，防止大脈沖電流(high-current spikes) 燒毀裝置。為了安全起見，設(shè)計(jì)人員至今還在超額使用二極管。意法半導(dǎo)體開發(fā)的新產(chǎn)品徹底改變了這一局面，過流保護(hù)值是額定電流值的2.5倍，因此設(shè)計(jì)人員可選用更小、更經(jīng)濟(jì)且可靠性和能效都不會(huì)受到影響的電流更小的二極管。

     意法半導(dǎo)體的新碳化硅二極管通過汽車級(jí)產(chǎn)品測(cè)試，極性接反擊穿電壓提高到650V，能夠滿足設(shè)計(jì)人員和汽車廠商希望降低電壓補(bǔ)償系數(shù)(voltage derating factor) 的要求，以確保車載充電半導(dǎo)體元器件的標(biāo)稱電壓與瞬間峰壓(peak voltage) 之間有充足的安全裕度(safety margin)。

     碳化硅作為寬帶隙(WBG, Wide Band-Gap)技術(shù)，具有眾所周知的能效優(yōu)勢(shì)；相對(duì)于元器件本身的尺寸，比較開關(guān)損耗(switching loss) 和額定電壓(voltage rating) 兩項(xiàng)參數(shù)，新產(chǎn)品均優(yōu)于傳統(tǒng)硅二極管。這次推出的650V二極管包括TO-220AC功率封裝的10A STPSC10H065DY和 TO-220AC封裝的12A STPSC12H065DY。此外，TO-220AB封裝的STPSC20H065CTY和TO-247封裝的STPSC20H065CWY是內(nèi)置2個(gè)10A二極管的雙管產(chǎn)品(dual-diode)，可最大限度提升空間利用率，降低車載充電器的重量。

所有新產(chǎn)品均已量產(chǎn)，可立即供貨。詳情請(qǐng)?jiān)L問：www.st.com/sic-auto-diodes