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Vishay的新一代 TrenchFET® MOSFET再度刷新 業(yè)內導通電阻最低記錄

新系列器件在10V和4.5V下導通電阻低至1.0mΩ和1.35mΩ
2012-05-08

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設計,在4.5V下導通電阻低至1.35mΩ,Miller電荷Qgd低至1.8nC,采用PowerPAK® SO-8和1212-8封裝。

新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅設計、晶圓加工和器件封裝上采用了多項技術改進措施,為功率電子系統設計者提供了諸多好處。與前一代器件相比,SiRA00DP的導通電阻與面積乘積減小了60%,在10V電壓下實現了1.0mΩ的極低RDS(on),4.5V下1.35mΩ的導通電阻達到業(yè)內最佳水準。對于設計者而言,MOSFET的低導通電阻可以實現更低的傳導損耗,減少功率損耗,達到更高的效率。

TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一種新型結構,這種結構實現了非常高密度的設計,而沒有明顯增加柵極電荷,克服了經常在高晶格數量器件上出現的這個問題。今天發(fā)布的MOSFET的總柵極電荷較低,使得SiRA04DP在4.5V下導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(FOM)降至56nC-Ω。

SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統效率,降低溫度,采用6.15mmx 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝,SiSA04DN的效率與之相近,3.30mmx 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。今天發(fā)布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應電壓,有助于防止擊穿的發(fā)生。

SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉換器、同步整流、同步降壓轉換器和OR-ing應用。典型終端產品包括開關電源、電壓調節(jié)模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務器。

TrenchFET Gen IV經過了100%的Rg和UIS測試。這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令。

TrenchFET Gen IV系列中所有產品的完整詳細數據請訪問:http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iv/。

Vishay Siliconix是業(yè)內首家引入Trench MOSFET的供應商。該公司的TrenchFET知識產權包括大量專利,以及可追溯到20世紀80年代早期的基礎技術專利。每一代新的TrenchFET技術生產出來的產品都將各種計算、通信、消費電子和其他應用中功率MOSFET的性能指標提高了相當可觀的數值。

型號

SiRA00DP

SiRA02DP

SiRA04DP

SiSA04DN

VDS (V)

30

30

30

30

VGS (V)

20

20

20

20

RDS(ON) (Ω) max.

VGS = 10 V

0.00100

0.00200

0.00215

0.00215

VGS = 4.5 V

0.00135

0.00270

0.00310

0.00310

Qg (nC)

VGS = 4.5 V

66.0

34.3

22.5

22.5

Qgs (nC)

26.0

13.6

8.6

8.6

Qds (nC)

8.6

4.1

4.0

4.0

 

 

 

 

 

封裝

PowerPAK SO-8

PowerPAK SO-8

PowerPAK SO-8

PowerPAK 1212-8

器件規(guī)格表:

TrenchFET Gen IV MOSFET現可提供樣品,在2012年1季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站www.vishay.com。

TrenchFET®PowerPAK®Vishay Siliconix®公司的注冊商標。

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